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大尺寸六方氮化硼單晶

文章出處: 天元航材    責任編輯: 天元化工新材廠家    發(fā)布時間:2022-05-27 09:37:18    點擊數(shù):7338    【
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大尺寸六方氮化硼單晶

天元航材化工原料廠家的小編今天給大家介紹下關(guān)于大尺寸六方氮化硼單晶的相關(guān)介紹,我們是一家生產(chǎn)銷售六方氮化硼,白石墨等氮化硼化工原料廠家,已有50年的生產(chǎn)工藝經(jīng)驗,那么您了解什么是大尺寸六方氮化硼單晶嗎?它是如何制備的呢?一起來看看吧!

隨著集成電路和半導體領(lǐng)域研究的不斷發(fā)展,晶體管的尺寸逐漸縮小,這也意味著摩爾定律可以實現(xiàn)的速度正在逐漸放緩并逼近極限,而超薄二維材料提供擴展摩爾定律的可能性,潛力巨大。二維半導體材料是指電子只能在非納米尺度上二維自由運動的材料,也可以理解為電子在平面內(nèi)運動的材料。

氮化硼是元素比例為1:1的氮和硼的化合物。其常見的晶體結(jié)構(gòu)是六方相和立方相,六方相通常被稱為“白石墨”,因為它具有類似于石墨的層狀結(jié)構(gòu),粉末狀六方氮化硼的外觀通常為白色。六方氮化硼作為一種二維材料,具有優(yōu)異的介電性能,其良好的絕緣性有效降低了電荷的散射,提供了優(yōu)良的界面介電,在二維材料半導體器件中發(fā)揮著不可替代的作用。

大尺寸氮化硼單晶具有優(yōu)異的光學和電學性能,可用于光電器件。與原子厚度的BN薄膜相比,高純度、高質(zhì)量、大尺寸的BN單晶具有更多優(yōu)勢,受到更多關(guān)注。而它的生長需要更苛刻的條件。

目前,熔融沉淀法主要用于制備高純度、大尺寸、高質(zhì)量的BN單晶。熔體沉淀法的關(guān)鍵是選擇合適的金屬熔體。一個成功的合金熔體系統(tǒng)對于單晶的生長具有決定性的重要性。一般需要根據(jù)合金的熔點、合金對析出元素的溶解度、合金元素的相圖等因素進行選擇,需要通過大量的系統(tǒng)實驗來確定。這需要時間和精力,而且成功的機會很小。因此,獲得能夠成功生長氮化硼單晶的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的熔體至關(guān)重要。

接下來小編給大家介紹幾種大尺寸六方氮化硼單晶的制備方法
第一種制作方法如下:
1、基板經(jīng)過拋光整平后放置在支撐面上,基板與支撐面形成0.5~15.0μm的間隙;
2、將帶有基板的支撐平面置于低壓化學氣相沉積室中,在緩沖氣體保護氣氛下對基板進行退火處理;
3、將六方氮化硼前驅(qū)體插入低壓化學氣相沉積腔室中,以低壓化學氣相沉積法使上述六方氮化硼前軀體在上述襯底與上述支撐平面正相對性的外表產(chǎn)生化學反應成長成六方氮化硼單晶或薄膜.
上述方法得到的單層六方氮化硼薄膜尺寸大、原子級平坦、晶界密度低、無懸掛鍵,是一種理想的二維材料基板,在電子工業(yè)領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。
第二種制作方法如下:

首先在氮氣流中,把鈷鉻合金添加在六方氮化硼粉末上,高溫加熱使鈷鉻合金熔化,停留一段時間,六方氮化硼粉末完全溶解在鈷鉻合金中,達到飽和后,冷卻至極低的速度,晶體會在金屬合金表面析出,生長出大面積的高質(zhì)量六方氮化硼單晶。目前,六方氮化硼研究的主要問題是晶體生長困難。但該方法具有結(jié)構(gòu)簡單、原理清晰、效果顯著等優(yōu)點,對于六方氮化硼的廣泛應用具有重要意義,對其他半導體材料或二維材料的研發(fā)具有一定的啟發(fā)意義。

天元航材化工原料廠家的小編就給您介紹到這里了,有疑問的可以電話咨詢小編我!
參考資料:https://www.doc88.com/p-97039911676053.html
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