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氮化硼與白石墨有什么區(qū)別氮化硼與白石墨的關(guān)系

文章出處：氮化硼責(zé)任編輯：天元航材發(fā)布時(shí)間：2020-08-28 09:51:54 點(diǎn)擊數(shù)：134 【大 中 小】

[導(dǎo)讀]：石墨烯的一系列獨(dú)特特性不斷被人們發(fā)現(xiàn)，如極高的載流子遷移率——理論值達(dá)100萬(wàn)平方厘米·伏^-1·秒^-1（cm^2·V^-1·s^-1）、反常量子霍爾效應(yīng)、室溫量子霍爾效應(yīng)、零質(zhì)量狄拉克費(fèi)米子行為，以...

石墨烯的一系列獨(dú)特特性不斷被人們發(fā)現(xiàn)，如極高的載流子遷移率——理論值達(dá)100萬(wàn)平方厘米 · 伏 ^ -1 · 秒 ^ -1（cm ^ 2·V ^ -1·s ^ -1）、反常量子霍爾效應(yīng)、室溫量子霍爾效應(yīng)、零質(zhì)量狄拉克費(fèi)米子行為，以及超高的機(jī)械強(qiáng)度和熱導(dǎo)率、優(yōu)異的透光性和導(dǎo)電性、超高的比表面積等。這些優(yōu)異的性能使得石墨烯在微電子、傳感器和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，因而石墨烯也被稱(chēng)為“黑金”。

氮化硼

如今，石墨烯等二維材料與器件的研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖已經(jīng)將石墨烯等二維材料列為有望延續(xù)摩爾定律的新材料，廣泛應(yīng)用于高性能集成電路和新型納米電子器件中。未來(lái)，由二維晶體構(gòu)成的二維納米電子器件有望給微電子技術(shù)帶來(lái)突破性的變革，甚至有可能動(dòng)搖占據(jù)集成電路主導(dǎo)地位半個(gè)世紀(jì)的硅基微電子器件的地位，并廣泛應(yīng)用于人們的日常生活中。

以石墨烯為代表的二維材料在替代傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料走向微電子領(lǐng)域、應(yīng)用于大規(guī)模集成電路制造的過(guò)程中充滿(mǎn)了機(jī)遇，同時(shí)也面臨著許多亟需解決的重大科學(xué)難題。例如石墨烯微電子器件的制備和應(yīng)用需要較高的載流子遷移率、合適的帶隙、較低的晶內(nèi)缺陷、平整的表面、較小的電荷雜質(zhì)濃度、均勻的介質(zhì)覆蓋等。

面對(duì)以上難題，六方氮化硼（h-BN）是目前最具潛力的一種石墨烯器件絕緣基底。六方氮化硼體材料與石墨是等電子體，具有與其相似的層狀結(jié)構(gòu)，外觀色白，俗稱(chēng)“白石墨”。其具有與石墨烯相同的層狀六邊形平面結(jié)構(gòu)，具有原子級(jí)的平整表面，在面上沒(méi)有懸掛鍵，與石墨烯的晶格失配僅為1.8%，摻雜效應(yīng)弱，能夠最大限度地保持石墨烯的本征物理性質(zhì)。

有報(bào)道稱(chēng)，將石墨烯轉(zhuǎn)移到六方氮化硼基底上后，測(cè)得的電子遷移率比在二氧化硅表面獲得的結(jié)果提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)。但目前利用化學(xué)氣相沉積法制備的六方氮化硼薄膜大多為小晶疇組成的單層，大面積均勻多層氮化硼薄膜的制備技術(shù)仍然沒(méi)有取得突破。

本文來(lái)源氮化硼：http://5ezz.cn/Article/dhpybsmysm.html

相關(guān)資訊：六方氮化硼的化學(xué)性能https：//5ezz.cn/Article/dhpdjslfdh.html

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