聚二茂鐵基硅烷的應用

聚二茂鐵基硅烷可采用常規(guī)的聚合物加工方法加工成膜、纖維及其他形態(tài)的材料,也可與新技術結合,制備具有新形態(tài)的材料。如果在不同的納米尺寸或結構的模板內進行開環(huán)聚合制備聚二茂鐵基硅烷,則可得到具有不同納米結構的材料。與有機聚合物相比,聚二茂鐵基硅烷抗反應性離子刻蝕的能力較好,因而可用于柔性平版印刷。采用多種柔性平版印刷技術制備了大面積PFS圖案,然后用反應性離子刻蝕將其轉移到基底上,配合保護性氧化物掩膜的使用,可以得到高比表面積的結構。由類似方法,以含鈷簇的聚二茂鐵基硅烷為前驅體,經等離子體及熱解處理后,可得到二維有序排列的Fe/Co納米顆粒環(huán)。Ozin等首先制備了交聯(lián)自支撐PFS膜,再由其熱解,得到磁性可調的陶瓷膜。帶有特殊官能團的PFS可用作光致抗蝕劑。如帶有甲基丙烯酸基團的PFS可用作負性光刻膠,而含金屬鈷基基團的PFS既可用做負性光刻膠,又可用做電子束抗蝕劑。但這類制版方法存在分辨率低、使用有機溶劑等不足。由于聚二茂鐵基硅烷發(fā)生氧化反應時伴隨著顏色從琥珀黃到藍綠色的變化,因而這類物質具有可逆的電致變色特性。聚二茂鐵基硅烷自身是絕緣的,其電導率只有10-14S.cm-1,但經氧化摻雜后,可提高幾個數量級,控制摻雜程度,電導率可在10-8～10-4S cm-1間變化,成為典型的半導體。這一特點使得這類聚合物可用于保護性電荷耗散層。而在氯仿及紫外光存在條件下,由無定形態(tài)聚二茂鐵基甲基苯基硅烷制得的薄膜發(fā)生光氧化后,電導率顯著增加,這一特性使其有望用于全固態(tài)光導和光伏器件?？刂凭鄱F基硅烷的交聯(lián)程度,可得到具有氧化還原活性的可溶脹凝膠,凝膠在有機溶劑里的溶脹程度取決于鐵的氧化程度,利用這一特點,可將二氧化硅微球有序排列在交聯(lián)聚二茂鐵基硅烷基底中,制備平面膠體光子晶體器件。結束語雖然迄今為止,很難發(fā)現(xiàn)有其他聚合物象聚二茂鐵基硅烷一樣具有如此寬泛的極具應用前景的特性,但受單體及聚合物制備方法等的限制,目前對于這類材料的研究,尤其是應用方面的研究仍處于較初步階段。我們相信,隨著特殊單體及聚合物合成方法的不斷發(fā)展,具有設計性能及結構更復雜的基于聚二茂鐵基硅烷的新型聚合物的構筑,以及對這些聚合物結構與性能關系研究的不斷深入,這類材料一定會在未來的新技術領域,尤其是蓬勃發(fā)展的基于納米技術、納米結構的相關領域得到實際應用。