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六方氮化硼薄膜制備方法流程

文章出處: 天元航材    責(zé)任編輯: 天元化工新材廠家    發(fā)布時(shí)間:2023-08-22 09:23:58    點(diǎn)擊數(shù):0    【
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六方氮化硼薄膜制備方法流程

天元航材化工原料生產(chǎn)廠家的小編今天給大家介紹下關(guān)于六方氮化硼薄膜制備方法的相關(guān)介紹,我們天元是一家生產(chǎn)六方氮化硼的化工廠家,生產(chǎn)的六方氮化硼廣泛應(yīng)用薄膜,脫模劑,復(fù)合陶瓷等行業(yè),今天小編跟大家一起來了解下關(guān)于六方氮化硼薄膜制備方法流程是怎么樣的吧!

六方氮化硼(H-BN)是一種Ⅲ類化合物,其六方相具有類似于石墨烯的層狀結(jié)構(gòu),被命名為白石墨,層中的b和N原子以共價(jià)鍵結(jié)合在一起,其結(jié)構(gòu)為穩(wěn)定。層間有范德華力,層間可以通過脫硼的方式打開,在空氣中非常穩(wěn)定,可以承受2000℃的高溫,只有在連續(xù)強(qiáng)加熱條件下才能燃燒,可以用于高溫耐火材料、耐火涂料。

以下是制備六方氮化硼薄膜的步驟:
(1)硼源置于襯底中;
(2)在惰性氣體氣氛中加熱硼源使硼源熔化;
(3)然后,通過氣相氮源進(jìn)行反應(yīng);
(4)反應(yīng)結(jié)束后,除去未反應(yīng)的硼源,得到六方氮化硼薄膜。

硼源有氧化硼、硼酸、偏硼酸鋰、偏硼酸鈉、偏硼酸鉀、四硼酸鋰及其水合物、四硼酸鈉及其水合物、四硼酸鉀及其水合物、四硼酸鋁及其水合物。

此外,還可以通過CVD法制備六方氮化硼薄膜
CVD法制備的六方氮化硼薄膜通常使用BCL3或B2H6作為硼源,BCL3作為硼源可以獲得較高的沉積速率,但在較高的沉積溫度(1200~2000℃)下,可以在較低的溫度下獲得非晶氮化硼B(yǎng)2H6作為硼源的沉積速率比B2H6低,但沉積溫度可明顯降低,最低可降低至600℃,Bcl3和NH3在827℃沉積非晶態(tài)氮化硼薄膜,在900°C下制備六方氮化硼薄膜。

H-BN薄膜的表面探究得出由于在吸附空氣中碳?xì)浠衔锏淖饔孟?氮化硼的水接觸角隨著暴露在空氣中的時(shí)間而增加,水接觸角大于93.60,表明表面H-BN薄膜能量低,可作為碳?xì)浠衔锊牧稀?

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