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六方氮化硼上單層二硫化鉬的定向外延

文章出處：天元航材責任編輯：天元化工新材廠家發(fā)布時間：2018-08-22 17:38:43 點擊數(shù)：112 【大 中 小】

[導(dǎo)讀]：最近，中國科學院物理研究所納米物理與器件實驗室張廣宇課題組報道了采用化學氣相沉積法在六方氮化硼單晶上定向外延單層二硫化鉬薄膜，并對薄膜特性進行了仔細研究。六方氮化硼與二硫化鉬都具有...

六方氮化硼上單層二硫化鉬的定向外延

最近，中國科學院物理研究所納米物理與器件實驗室張廣宇課題組報道了采用化學氣相沉積法在六方氮化硼單晶上定向外延單層二硫化鉬薄膜，并對薄膜特性進行了仔細研究。六方氮化硼與二硫化鉬都具有三重對稱性，是具有原子級平整表面的絕緣體。所制備的薄膜由兩種取向的晶粒構(gòu)成，兩種取向的晶粒彼此夾角為60度，兩種取向的晶粒在氮化硼襯底上具有相等的能量最低態(tài)。高分辨透射電鏡證實薄膜只具有60晶界。目前為止，最大限度的減少了二硫化鉬薄膜的晶界。提高了樣品質(zhì)量。他們將薄膜制備成場效應(yīng)晶體管，晶體管具有大約30cm2V-1s-1的電子遷移率和106的開關(guān)比。最后他們調(diào)控生長前驅(qū)體的濃度得到不同截止邊界的二硫化鉬晶粒，拓寬了樣品的應(yīng)用范圍。

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