六方氮化硼填充環(huán)氧樹(shù)脂基復(fù)合材料

天元航材化工原料生產(chǎn)廠家的小編今天給大家介紹下關(guān)于六方氮化硼填充環(huán)氧樹(shù)脂基復(fù)合材料的相關(guān)介紹，樹(shù)脂中可以使用氮化硼充當(dāng)填料嗎？接下來(lái)小編給大家介紹一款六方氮化硼填充導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料，讓我們一起來(lái)探討探討吧！

要知道，隨著電子設(shè)備不斷向小型化、集成化和多功能化方向發(fā)展，其功率密度越來(lái)越大，單位發(fā)熱量越來(lái)越大。電子元器件運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生的熱量是影響電子元器件性能和使用壽命的關(guān)鍵因素，散熱問(wèn)題已成為制約微電子器件和系統(tǒng)發(fā)展和應(yīng)用的瓶頸。特別是隨著5G和自動(dòng)駕駛技術(shù)的快速部署，對(duì)熱管理材料提出了新的挑戰(zhàn)。最關(guān)心的問(wèn)題之一是導(dǎo)熱材料的導(dǎo)熱能力和機(jī)械性能，優(yōu)良的導(dǎo)熱性能可以保證電子器件在常溫下工作，良好的機(jī)械性能增加了封裝材料對(duì)外部負(fù)載的抵抗力，大大延長(zhǎng)了電子器件的使用壽命。因此，專注于提高導(dǎo)熱性和機(jī)械性能的器件或集成電路將為聚合物基復(fù)合材料創(chuàng)造更廣闊的應(yīng)用前景。
近年來(lái)，hBN六方氮化硼填充樹(shù)脂基復(fù)合材料的研究層出不窮。氮化硼（BN）因其驚人的導(dǎo)熱性、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性、獨(dú)特的電絕緣性和超低的熱膨脹系數(shù)而被選為填充材料。討論了H-BN填料的形貌、粒徑、顆粒組成和表面改性方法對(duì)材料熱導(dǎo)率的影響，展望了高導(dǎo)熱h-BN填充樹(shù)脂復(fù)合材料的發(fā)展方向。該材料以NH4HCO3為犧牲材料，通過(guò)簡(jiǎn)單通用的方法構(gòu)建三維氮化硼泡沫（3D-BN），然后用環(huán)氧樹(shù)脂填充3D-BN，得到復(fù)合材料。六方氮化硼填充樹(shù)脂基復(fù)合材料的具體實(shí)現(xiàn)原理如下：
通過(guò)選擇和調(diào)節(jié)導(dǎo)熱填料BN和熱解材料NH4HCO3的粒徑，實(shí)現(xiàn)三維網(wǎng)絡(luò)骨架的有效構(gòu)建。當(dāng)熱解材料和導(dǎo)熱填料的粒徑比為8倍以上時(shí)，有效結(jié)構(gòu)的組裝可以在兩種尺寸差異明顯的材料混合過(guò)程中實(shí)現(xiàn)。小顆粒的導(dǎo)熱填料會(huì)被吸附在大顆粒表面的熱解材料包圍，這樣在加壓處理時(shí)，壓力將主要集中在粒徑較小的導(dǎo)熱填料上，通過(guò)壓力隨著相互接觸而增加三維框架導(dǎo)熱填料，進(jìn)一步降低了填料之間的界面熱阻，進(jìn)一步加熱可使NH4HCO3分解，氮化硼泡沫可為環(huán)氧樹(shù)脂填充的三維結(jié)構(gòu)復(fù)合材料提供有效的聲子傳輸通道。該方法簡(jiǎn)單，可大大提高復(fù)合材料的熱導(dǎo)率，使得復(fù)合材料的縱向熱導(dǎo)率高達(dá)6.11w-m-1K-1。
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