熱解氮化硼（PBN）材料具有高純度、化學(xué)惰性以及優(yōu)異的結(jié)構(gòu)和性能使其成為元素提純、化合物及化合物半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)的理想容器，尤其是用于制備新一代化合物半導(dǎo)體GaAs、InP等，同時(shí)還廣泛應(yīng)用于航空、航天、電子、化工、特種冶金、醫(yī)療等各個(gè)領(lǐng)域。PBN的主要用途如下：

（1）化合物半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)用容器

化合物半導(dǎo)體單晶（比如GaAs、InP等）的生長(zhǎng)需要極其嚴(yán)格的環(huán)境，包括溫度、原料純度以及生長(zhǎng)容器純度等。PBN是目前化合物半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)用最為理想的容器，無可替代?；衔锇雽?dǎo)體單晶生長(zhǎng)方法目前主要有液封直拉法（LEC）、水平布里曼法（HB）和垂直布里曼法（VB和VGF）等方法，對(duì)應(yīng)的PBN有LEC坩堝、VB坩堝和VGF坩堝等等；

（2）分子束外延用束源坩堝

分子束外延（MBE）是當(dāng)今世界最重要的Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體晶體外延生長(zhǎng)工藝之一。PBN坩堝是MBE過程中用作裝蒸發(fā)元素和化合物最佳的容器；

（3）OLED用坩堝

OLED想必大家應(yīng)該都不會(huì)陌生了，最近非常火熱。據(jù)說iphone 8要開始采用OLED屏幕了。OLED用坩堝就是在OLED生產(chǎn)線上作為蒸發(fā)元容器所用。

（4）PBN 環(huán)和片

PBN在超高真空下可被加熱到2300℃而不發(fā)生分解，具有很高的純度，達(dá)到99.99%以上，高溫下不釋放氣體雜質(zhì)等諸多優(yōu)良特性，這些特性使得PBN可以被加工成不同形狀的環(huán)和片，從而廣泛的應(yīng)用于高溫、真空、MBE和OLED等領(lǐng)域，作為支撐架、絕緣件和墊片等使用。

（5）PBN 涂層

在液相外延和MOCVD中，PBN常用來對(duì)設(shè)備中的石墨件進(jìn)行涂層保護(hù)，還可以作為石墨加熱器的外涂層(PG/PBN加熱器)，從而防止石墨發(fā)熱體在高溫下發(fā)生揮發(fā)。另外，由于PBN薄膜具有極高的化學(xué)惰性，可以作為半導(dǎo)體刻蝕工藝中的隔膜或鈍化膜；